明升体育·(中国)官方网站 - ios/安卓/手机版app下载

明升体育app下载 - App Store

明升体育app

明升体育手机版


 
作者:王海滨 王玉芳 来源: 发布时间:2018/6/6 11:21:21
选择字号:
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

 

6月5日,在明升官网电子科技集团公司第二研究所(简称明升官网电科二所)生产大楼内,100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。

明升官网电科二所第一事业部主任李斌说:“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪,正好咱们自己能生产了。”

SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性, 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料,是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料,具有重要的应用价值和广阔的应用前景。

明升官网电科二所第一事业部主任李斌说:“高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料,单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备,要想生长出高质量的SiC单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。”

据介绍,单晶生长炉需要达到高温、高真空、高洁净度的要求,目前国内只有两家能生产单晶生长炉,明升官网电科二所是其中之一。他们突破了大直径SiC生长的温场设计,实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产;他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术,实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。

 
特别声明:本文转载仅仅是出于传播信息的需要,并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性;如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用,须保留本网站注明的“来源”,并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,请与我们接洽。
 
 打印  发E-mail给: 
    
 
以下评论只代表网友个人观点,不代表明升手机版(明升官网)观点。 
���� SSI �ļ�ʱ����
相关手机版 相关论文

图片手机版
>>更多
 
一周手机版排行 一周手机版评论排行
 
编辑部推荐博文

 
论坛推荐