科技日报讯 （记者董映璧）俄罗斯研究人员发现，钴、铁和镍的非典型复杂化合物可表现出单离子磁体的特性，这将有助于采用此种物质制造用于存储信息的超高密度高效电子元件基础设备，其容量是现代设备的一千倍。相关研究结果发表在最近的《磁明升手机》杂志上。
单分子磁体（SMM）是单个分子或原子能够保持自旋力矩—磁化方向的材料。它们的状态可通过外部磁场来切换。
俄南联邦大学研究人员发现，在五角双锥体配位介质中，从铁到镍的3d系列金属的七配位离子可表现出单离子磁体（SIM）的特性。单离子磁体的化合物属于分子磁体家族，其中磁化强度的积累仅限于单个顺磁中心——d或f金属离子。
研究人员表示，五角双锥体型的七配位不是3d系列过渡金属“晚期”离子所特有的，特别是在全氮供体环境中，因为它们的离子半径相当小。然而，研究人员设法合成了此类化合物，以单晶X射线结构分析的方法确定其结构，详细研究恒定和交变场中的磁性。
研究人员称，在当前阶段，与其说这项工作具有实用性，不如说它更具有基础性。目前，材料只能在非常低的温度下保持磁化，低于所谓的阻塞温度，因为再磁化势垒不大。
研究人员正在积累实验材料，寻找分子结构与其磁性之间的联系。接下去的研究可能为存储系统的电子元件基础制造强大的设备，并开发基于使用电子自旋特性的新技术，如制造量子计算设备。
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