最近，中科院固体所李广海研究员的课题组通过实时电量控制方法，生长出小周期的Bi/BiSb 超晶格纳米线，观察到了不同的生长模式，如平面生长模式、斜面生长模式及曲面生长模式。他们从热力学、动力学以及晶体生长理论等方面对所观察到的现象进行了分析，发现在电明升手机沉积过程中，如果热力学占主导地位则纳米线呈平面生长模式，而如果动力学占主导地位则会导致非平面生长模式。在外界存在干扰条件下，非平面生长模式可以转变为平面生长模式，反之亦然。该项研究成果已于3月26日在线发表于《纳米快报》（Nano lett. ）上。
基于模板电明升手机沉积单晶纳米线是可控合成一维纳米材料的重要方法，而对于单晶纳米线生长机理，目前普遍认为遵循从三维生长向二维生长的转变模式，对于二维生长则认为是平面的生长模式。现有的实验技术很难直接观察电明升手机沉积单晶纳米线的生长过程，迄今为止，这一工作尚属空缺。寻找一种研究方法，可以直接观察电明升手机沉积单晶纳米线的生长过程是十分重要的。该项研究结果不仅表明超晶格纳米线是一种模型结构，而且对于深入理解电明升手机沉积单晶纳米线的生长机理和发展新的晶体生长理论具有重要的指导作用。（来源：明升官网明升体育app院合肥物质明升体育app研究院）
（《纳米快报》（Nano lett. ），doi：10.1021/nl073039b，Xincun Dou，Guanghai Li）
